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PSMN8R5-108ESQ

功能描述：MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

制造商：nxp semiconductors

系列：-

包装：管件

零件状态：过期

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：108V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tj）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：111nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：5512pF @ 50V

功率 - 最大值：263W

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：I2PAK

标准包装：50

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